Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL23N20D102P
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Číslo dílu
IRFSL23N20D102P
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39779 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL23N20D102P
IRFSL23N20D102P Elektronické komponenty
IRFSL23N20D102P Odbyt
IRFSL23N20D102P Dodavatel
IRFSL23N20D102P Distributor
IRFSL23N20D102P Datová tabulka
IRFSL23N20D102P Fotky
IRFSL23N20D102P Cena
IRFSL23N20D102P Nabídka
IRFSL23N20D102P Nejnižší cena
IRFSL23N20D102P Vyhledávání
IRFSL23N20D102P Nákup
IRFSL23N20D102P Chip