Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL23N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
Číslo dílu
IRFSL23N15DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15849 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL23N15DPBF
IRFSL23N15DPBF Elektronické komponenty
IRFSL23N15DPBF Odbyt
IRFSL23N15DPBF Dodavatel
IRFSL23N15DPBF Distributor
IRFSL23N15DPBF Datová tabulka
IRFSL23N15DPBF Fotky
IRFSL23N15DPBF Cena
IRFSL23N15DPBF Nabídka
IRFSL23N15DPBF Nejnižší cena
IRFSL23N15DPBF Vyhledávání
IRFSL23N15DPBF Nákup
IRFSL23N15DPBF Chip