Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL23N15D
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
Číslo dílu
IRFSL23N15D
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10721 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL23N15D
IRFSL23N15D Elektronické komponenty
IRFSL23N15D Odbyt
IRFSL23N15D Dodavatel
IRFSL23N15D Distributor
IRFSL23N15D Datová tabulka
IRFSL23N15D Fotky
IRFSL23N15D Cena
IRFSL23N15D Nabídka
IRFSL23N15D Nejnižší cena
IRFSL23N15D Vyhledávání
IRFSL23N15D Nákup
IRFSL23N15D Chip