Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL17N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Číslo dílu
IRFSL17N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42326 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL17N20DPBF
IRFSL17N20DPBF Elektronické komponenty
IRFSL17N20DPBF Odbyt
IRFSL17N20DPBF Dodavatel
IRFSL17N20DPBF Distributor
IRFSL17N20DPBF Datová tabulka
IRFSL17N20DPBF Fotky
IRFSL17N20DPBF Cena
IRFSL17N20DPBF Nabídka
IRFSL17N20DPBF Nejnižší cena
IRFSL17N20DPBF Vyhledávání
IRFSL17N20DPBF Nákup
IRFSL17N20DPBF Chip