Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS7730PBF

IRFS7730PBF

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Číslo dílu
IRFS7730PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
407nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28199 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRFS7730PBF
IRFS7730PBF Elektronické komponenty
IRFS7730PBF Odbyt
IRFS7730PBF Dodavatel
IRFS7730PBF Distributor
IRFS7730PBF Datová tabulka
IRFS7730PBF Fotky
IRFS7730PBF Cena
IRFS7730PBF Nabídka
IRFS7730PBF Nejnižší cena
IRFS7730PBF Vyhledávání
IRFS7730PBF Nákup
IRFS7730PBF Chip