Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS7530PBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Číslo dílu
IRFS7530PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
411nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13703pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33056 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS7530PBF
IRFS7530PBF Elektronické komponenty
IRFS7530PBF Odbyt
IRFS7530PBF Dodavatel
IRFS7530PBF Distributor
IRFS7530PBF Datová tabulka
IRFS7530PBF Fotky
IRFS7530PBF Cena
IRFS7530PBF Nabídka
IRFS7530PBF Nejnižší cena
IRFS7530PBF Vyhledávání
IRFS7530PBF Nákup
IRFS7530PBF Chip