Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS59N10DTRLP
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Číslo dílu
IRFS59N10DTRLP
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26955 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS59N10DTRLP
IRFS59N10DTRLP Elektronické komponenty
IRFS59N10DTRLP Odbyt
IRFS59N10DTRLP Dodavatel
IRFS59N10DTRLP Distributor
IRFS59N10DTRLP Datová tabulka
IRFS59N10DTRLP Fotky
IRFS59N10DTRLP Cena
IRFS59N10DTRLP Nabídka
IRFS59N10DTRLP Nejnižší cena
IRFS59N10DTRLP Vyhledávání
IRFS59N10DTRLP Nákup
IRFS59N10DTRLP Chip