Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Číslo dílu
IRFS59N10DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45421 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS59N10DPBF
IRFS59N10DPBF Elektronické komponenty
IRFS59N10DPBF Odbyt
IRFS59N10DPBF Dodavatel
IRFS59N10DPBF Distributor
IRFS59N10DPBF Datová tabulka
IRFS59N10DPBF Fotky
IRFS59N10DPBF Cena
IRFS59N10DPBF Nabídka
IRFS59N10DPBF Nejnižší cena
IRFS59N10DPBF Vyhledávání
IRFS59N10DPBF Nákup
IRFS59N10DPBF Chip