Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Číslo dílu
IRFS5615PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
144W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17958 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS5615PBF
IRFS5615PBF Elektronické komponenty
IRFS5615PBF Odbyt
IRFS5615PBF Dodavatel
IRFS5615PBF Distributor
IRFS5615PBF Datová tabulka
IRFS5615PBF Fotky
IRFS5615PBF Cena
IRFS5615PBF Nabídka
IRFS5615PBF Nejnižší cena
IRFS5615PBF Vyhledávání
IRFS5615PBF Nákup
IRFS5615PBF Chip