Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS4310ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6860pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21454 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS4310ZPBF
IRFS4310ZPBF Elektronické komponenty
IRFS4310ZPBF Odbyt
IRFS4310ZPBF Dodavatel
IRFS4310ZPBF Distributor
IRFS4310ZPBF Datová tabulka
IRFS4310ZPBF Fotky
IRFS4310ZPBF Cena
IRFS4310ZPBF Nabídka
IRFS4310ZPBF Nejnižší cena
IRFS4310ZPBF Vyhledávání
IRFS4310ZPBF Nákup
IRFS4310ZPBF Chip