Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS4227PBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Číslo dílu
IRFS4227PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9816 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS4227PBF
IRFS4227PBF Elektronické komponenty
IRFS4227PBF Odbyt
IRFS4227PBF Dodavatel
IRFS4227PBF Distributor
IRFS4227PBF Datová tabulka
IRFS4227PBF Fotky
IRFS4227PBF Cena
IRFS4227PBF Nabídka
IRFS4227PBF Nejnižší cena
IRFS4227PBF Vyhledávání
IRFS4227PBF Nákup
IRFS4227PBF Chip