Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS4127TRLPBF

IRFS4127TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Číslo dílu
IRFS4127TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20483 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRFS4127TRLPBF
IRFS4127TRLPBF Elektronické komponenty
IRFS4127TRLPBF Odbyt
IRFS4127TRLPBF Dodavatel
IRFS4127TRLPBF Distributor
IRFS4127TRLPBF Datová tabulka
IRFS4127TRLPBF Fotky
IRFS4127TRLPBF Cena
IRFS4127TRLPBF Nabídka
IRFS4127TRLPBF Nejnižší cena
IRFS4127TRLPBF Vyhledávání
IRFS4127TRLPBF Nákup
IRFS4127TRLPBF Chip