Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2-PAK
Číslo dílu
IRFS4127PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14993 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS4127PBF
IRFS4127PBF Elektronické komponenty
IRFS4127PBF Odbyt
IRFS4127PBF Dodavatel
IRFS4127PBF Distributor
IRFS4127PBF Datová tabulka
IRFS4127PBF Fotky
IRFS4127PBF Cena
IRFS4127PBF Nabídka
IRFS4127PBF Nejnižší cena
IRFS4127PBF Vyhledávání
IRFS4127PBF Nákup
IRFS4127PBF Chip