Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK
Číslo dílu
IRFS4115PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.1 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5270pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52804 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS4115PBF
IRFS4115PBF Elektronické komponenty
IRFS4115PBF Odbyt
IRFS4115PBF Dodavatel
IRFS4115PBF Distributor
IRFS4115PBF Datová tabulka
IRFS4115PBF Fotky
IRFS4115PBF Cena
IRFS4115PBF Nabídka
IRFS4115PBF Nejnižší cena
IRFS4115PBF Vyhledávání
IRFS4115PBF Nákup
IRFS4115PBF Chip