Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS4010PBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Číslo dílu
IRFS4010PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9575pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50472 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS4010PBF
IRFS4010PBF Elektronické komponenty
IRFS4010PBF Odbyt
IRFS4010PBF Dodavatel
IRFS4010PBF Distributor
IRFS4010PBF Datová tabulka
IRFS4010PBF Fotky
IRFS4010PBF Cena
IRFS4010PBF Nabídka
IRFS4010PBF Nejnižší cena
IRFS4010PBF Vyhledávání
IRFS4010PBF Nákup
IRFS4010PBF Chip