Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Číslo dílu
IRFS38N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6136 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS38N20DPBF
IRFS38N20DPBF Elektronické komponenty
IRFS38N20DPBF Odbyt
IRFS38N20DPBF Dodavatel
IRFS38N20DPBF Distributor
IRFS38N20DPBF Datová tabulka
IRFS38N20DPBF Fotky
IRFS38N20DPBF Cena
IRFS38N20DPBF Nabídka
IRFS38N20DPBF Nejnižší cena
IRFS38N20DPBF Vyhledávání
IRFS38N20DPBF Nákup
IRFS38N20DPBF Chip