Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3607PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3070pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8371 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3607PBF
IRFS3607PBF Elektronické komponenty
IRFS3607PBF Odbyt
IRFS3607PBF Dodavatel
IRFS3607PBF Distributor
IRFS3607PBF Datová tabulka
IRFS3607PBF Fotky
IRFS3607PBF Cena
IRFS3607PBF Nabídka
IRFS3607PBF Nejnižší cena
IRFS3607PBF Vyhledávání
IRFS3607PBF Nákup
IRFS3607PBF Chip