Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3307ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6563 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3307ZPBF
IRFS3307ZPBF Elektronické komponenty
IRFS3307ZPBF Odbyt
IRFS3307ZPBF Dodavatel
IRFS3307ZPBF Distributor
IRFS3307ZPBF Datová tabulka
IRFS3307ZPBF Fotky
IRFS3307ZPBF Cena
IRFS3307ZPBF Nabídka
IRFS3307ZPBF Nejnižší cena
IRFS3307ZPBF Vyhledávání
IRFS3307ZPBF Nákup
IRFS3307ZPBF Chip