Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3307TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3307TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47814 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3307TRLPBF
IRFS3307TRLPBF Elektronické komponenty
IRFS3307TRLPBF Odbyt
IRFS3307TRLPBF Dodavatel
IRFS3307TRLPBF Distributor
IRFS3307TRLPBF Datová tabulka
IRFS3307TRLPBF Fotky
IRFS3307TRLPBF Cena
IRFS3307TRLPBF Nabídka
IRFS3307TRLPBF Nejnižší cena
IRFS3307TRLPBF Vyhledávání
IRFS3307TRLPBF Nákup
IRFS3307TRLPBF Chip