Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3307PBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3307PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37394 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3307PBF
IRFS3307PBF Elektronické komponenty
IRFS3307PBF Odbyt
IRFS3307PBF Dodavatel
IRFS3307PBF Distributor
IRFS3307PBF Datová tabulka
IRFS3307PBF Fotky
IRFS3307PBF Cena
IRFS3307PBF Nabídka
IRFS3307PBF Nejnižší cena
IRFS3307PBF Vyhledávání
IRFS3307PBF Nákup
IRFS3307PBF Chip