Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3306TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4520pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41200 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRFS3306TRLPBF
IRFS3306TRLPBF Elektronické komponenty
IRFS3306TRLPBF Odbyt
IRFS3306TRLPBF Dodavatel
IRFS3306TRLPBF Distributor
IRFS3306TRLPBF Datová tabulka
IRFS3306TRLPBF Fotky
IRFS3306TRLPBF Cena
IRFS3306TRLPBF Nabídka
IRFS3306TRLPBF Nejnižší cena
IRFS3306TRLPBF Vyhledávání
IRFS3306TRLPBF Nákup
IRFS3306TRLPBF Chip