Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3306PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4520pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31611 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3306PBF
IRFS3306PBF Elektronické komponenty
IRFS3306PBF Odbyt
IRFS3306PBF Dodavatel
IRFS3306PBF Distributor
IRFS3306PBF Datová tabulka
IRFS3306PBF Fotky
IRFS3306PBF Cena
IRFS3306PBF Nabídka
IRFS3306PBF Nejnižší cena
IRFS3306PBF Vyhledávání
IRFS3306PBF Nákup
IRFS3306PBF Chip