Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3207ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6920pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37827 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3207ZPBF
IRFS3207ZPBF Elektronické komponenty
IRFS3207ZPBF Odbyt
IRFS3207ZPBF Dodavatel
IRFS3207ZPBF Distributor
IRFS3207ZPBF Datová tabulka
IRFS3207ZPBF Fotky
IRFS3207ZPBF Cena
IRFS3207ZPBF Nabídka
IRFS3207ZPBF Nejnižší cena
IRFS3207ZPBF Vyhledávání
IRFS3207ZPBF Nákup
IRFS3207ZPBF Chip