Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3206PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6540pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7925 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3206PBF
IRFS3206PBF Elektronické komponenty
IRFS3206PBF Odbyt
IRFS3206PBF Dodavatel
IRFS3206PBF Distributor
IRFS3206PBF Datová tabulka
IRFS3206PBF Fotky
IRFS3206PBF Cena
IRFS3206PBF Nabídka
IRFS3206PBF Nejnižší cena
IRFS3206PBF Vyhledávání
IRFS3206PBF Nákup
IRFS3206PBF Chip