IRFS31N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Číslo dílu
IRFS31N20DTRLP
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
107nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2370pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21315 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS31N20DTRLP
IRFS31N20DTRLP Elektronické komponenty
IRFS31N20DTRLP Odbyt
IRFS31N20DTRLP Dodavatel
IRFS31N20DTRLP Distributor
IRFS31N20DTRLP Datová tabulka
IRFS31N20DTRLP Fotky
IRFS31N20DTRLP Cena
IRFS31N20DTRLP Nabídka
IRFS31N20DTRLP Nejnižší cena
IRFS31N20DTRLP Vyhledávání
IRFS31N20DTRLP Nákup
IRFS31N20DTRLP Chip