Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS31N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Číslo dílu
IRFS31N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
107nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2370pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47387 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS31N20DPBF
IRFS31N20DPBF Elektronické komponenty
IRFS31N20DPBF Odbyt
IRFS31N20DPBF Dodavatel
IRFS31N20DPBF Distributor
IRFS31N20DPBF Datová tabulka
IRFS31N20DPBF Fotky
IRFS31N20DPBF Cena
IRFS31N20DPBF Nabídka
IRFS31N20DPBF Nejnižší cena
IRFS31N20DPBF Vyhledávání
IRFS31N20DPBF Nákup
IRFS31N20DPBF Chip