Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3107PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
370W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9370pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31691 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3107PBF
IRFS3107PBF Elektronické komponenty
IRFS3107PBF Odbyt
IRFS3107PBF Dodavatel
IRFS3107PBF Distributor
IRFS3107PBF Datová tabulka
IRFS3107PBF Fotky
IRFS3107PBF Cena
IRFS3107PBF Nabídka
IRFS3107PBF Nejnižší cena
IRFS3107PBF Vyhledávání
IRFS3107PBF Nákup
IRFS3107PBF Chip