Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS3006PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3006PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8970pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27341 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3006PBF
IRFS3006PBF Elektronické komponenty
IRFS3006PBF Odbyt
IRFS3006PBF Dodavatel
IRFS3006PBF Distributor
IRFS3006PBF Datová tabulka
IRFS3006PBF Fotky
IRFS3006PBF Cena
IRFS3006PBF Nabídka
IRFS3006PBF Nejnižší cena
IRFS3006PBF Vyhledávání
IRFS3006PBF Nákup
IRFS3006PBF Chip