Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS23N20DPBF

IRFS23N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Číslo dílu
IRFS23N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41916 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRFS23N20DPBF
IRFS23N20DPBF Elektronické komponenty
IRFS23N20DPBF Odbyt
IRFS23N20DPBF Dodavatel
IRFS23N20DPBF Distributor
IRFS23N20DPBF Datová tabulka
IRFS23N20DPBF Fotky
IRFS23N20DPBF Cena
IRFS23N20DPBF Nabídka
IRFS23N20DPBF Nejnižší cena
IRFS23N20DPBF Vyhledávání
IRFS23N20DPBF Nákup
IRFS23N20DPBF Chip