Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR9N20DTRR
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR9N20DTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
86W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25593 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR9N20DTRR
IRFR9N20DTRR Elektronické komponenty
IRFR9N20DTRR Odbyt
IRFR9N20DTRR Dodavatel
IRFR9N20DTRR Distributor
IRFR9N20DTRR Datová tabulka
IRFR9N20DTRR Fotky
IRFR9N20DTRR Cena
IRFR9N20DTRR Nabídka
IRFR9N20DTRR Nejnižší cena
IRFR9N20DTRR Vyhledávání
IRFR9N20DTRR Nákup
IRFR9N20DTRR Chip