Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR9N20DTR
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR9N20DTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
86W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13240 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR9N20DTR
IRFR9N20DTR Elektronické komponenty
IRFR9N20DTR Odbyt
IRFR9N20DTR Dodavatel
IRFR9N20DTR Distributor
IRFR9N20DTR Datová tabulka
IRFR9N20DTR Fotky
IRFR9N20DTR Cena
IRFR9N20DTR Nabídka
IRFR9N20DTR Nejnižší cena
IRFR9N20DTR Vyhledávání
IRFR9N20DTR Nákup
IRFR9N20DTR Chip