Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR9N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR9N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
86W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14794 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR9N20DPBF
IRFR9N20DPBF Elektronické komponenty
IRFR9N20DPBF Odbyt
IRFR9N20DPBF Dodavatel
IRFR9N20DPBF Distributor
IRFR9N20DPBF Datová tabulka
IRFR9N20DPBF Fotky
IRFR9N20DPBF Cena
IRFR9N20DPBF Nabídka
IRFR9N20DPBF Nejnižší cena
IRFR9N20DPBF Vyhledávání
IRFR9N20DPBF Nákup
IRFR9N20DPBF Chip