Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR9014N
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Číslo dílu
IRFR9014N
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16219 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR9014N
IRFR9014N Elektronické komponenty
IRFR9014N Odbyt
IRFR9014N Dodavatel
IRFR9014N Distributor
IRFR9014N Datová tabulka
IRFR9014N Fotky
IRFR9014N Cena
IRFR9014N Nabídka
IRFR9014N Nejnižší cena
IRFR9014N Vyhledávání
IRFR9014N Nákup
IRFR9014N Chip