Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR8314TRPBF
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
Číslo dílu
IRFR8314TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252AA)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4945pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50701 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR8314TRPBF
IRFR8314TRPBF Elektronické komponenty
IRFR8314TRPBF Odbyt
IRFR8314TRPBF Dodavatel
IRFR8314TRPBF Distributor
IRFR8314TRPBF Datová tabulka
IRFR8314TRPBF Fotky
IRFR8314TRPBF Cena
IRFR8314TRPBF Nabídka
IRFR8314TRPBF Nejnižší cena
IRFR8314TRPBF Vyhledávání
IRFR8314TRPBF Nákup
IRFR8314TRPBF Chip