Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR825TRPBF
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Číslo dílu
IRFR825TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
119W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1346pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14694 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR825TRPBF
IRFR825TRPBF Elektronické komponenty
IRFR825TRPBF Odbyt
IRFR825TRPBF Dodavatel
IRFR825TRPBF Distributor
IRFR825TRPBF Datová tabulka
IRFR825TRPBF Fotky
IRFR825TRPBF Cena
IRFR825TRPBF Nabídka
IRFR825TRPBF Nejnižší cena
IRFR825TRPBF Vyhledávání
IRFR825TRPBF Nákup
IRFR825TRPBF Chip