Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR825PBF
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Číslo dílu
IRFR825PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
119W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1346pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17844 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR825PBF
IRFR825PBF Elektronické komponenty
IRFR825PBF Odbyt
IRFR825PBF Dodavatel
IRFR825PBF Distributor
IRFR825PBF Datová tabulka
IRFR825PBF Fotky
IRFR825PBF Cena
IRFR825PBF Nabídka
IRFR825PBF Nejnižší cena
IRFR825PBF Vyhledávání
IRFR825PBF Nákup
IRFR825PBF Chip