Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR812TRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Číslo dílu
IRFR812TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45374 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR812TRPBF
IRFR812TRPBF Elektronické komponenty
IRFR812TRPBF Odbyt
IRFR812TRPBF Dodavatel
IRFR812TRPBF Distributor
IRFR812TRPBF Datová tabulka
IRFR812TRPBF Fotky
IRFR812TRPBF Cena
IRFR812TRPBF Nabídka
IRFR812TRPBF Nejnižší cena
IRFR812TRPBF Vyhledávání
IRFR812TRPBF Nákup
IRFR812TRPBF Chip