Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR812PBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Číslo dílu
IRFR812PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48559 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR812PBF
IRFR812PBF Elektronické komponenty
IRFR812PBF Odbyt
IRFR812PBF Dodavatel
IRFR812PBF Distributor
IRFR812PBF Datová tabulka
IRFR812PBF Fotky
IRFR812PBF Cena
IRFR812PBF Nabídka
IRFR812PBF Nejnižší cena
IRFR812PBF Vyhledávání
IRFR812PBF Nákup
IRFR812PBF Chip