Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR5505PBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Číslo dílu
IRFR5505PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23908 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR5505PBF
IRFR5505PBF Elektronické komponenty
IRFR5505PBF Odbyt
IRFR5505PBF Dodavatel
IRFR5505PBF Distributor
IRFR5505PBF Datová tabulka
IRFR5505PBF Fotky
IRFR5505PBF Cena
IRFR5505PBF Nabídka
IRFR5505PBF Nejnižší cena
IRFR5505PBF Vyhledávání
IRFR5505PBF Nákup
IRFR5505PBF Chip