IRFR5505GTRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Číslo dílu
IRFR5505GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22870 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR5505GTRPBF
IRFR5505GTRPBF Elektronické komponenty
IRFR5505GTRPBF Odbyt
IRFR5505GTRPBF Dodavatel
IRFR5505GTRPBF Distributor
IRFR5505GTRPBF Datová tabulka
IRFR5505GTRPBF Fotky
IRFR5505GTRPBF Cena
IRFR5505GTRPBF Nabídka
IRFR5505GTRPBF Nejnižší cena
IRFR5505GTRPBF Vyhledávání
IRFR5505GTRPBF Nákup
IRFR5505GTRPBF Chip