Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR5505CPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Číslo dílu
IRFR5505CPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29096 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR5505CPBF
IRFR5505CPBF Elektronické komponenty
IRFR5505CPBF Odbyt
IRFR5505CPBF Dodavatel
IRFR5505CPBF Distributor
IRFR5505CPBF Datová tabulka
IRFR5505CPBF Fotky
IRFR5505CPBF Cena
IRFR5505CPBF Nabídka
IRFR5505CPBF Nejnižší cena
IRFR5505CPBF Vyhledávání
IRFR5505CPBF Nákup
IRFR5505CPBF Chip