IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Číslo dílu
IRFR5410TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
66W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
205 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49700 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR5410TRPBF
IRFR5410TRPBF Elektronické komponenty
IRFR5410TRPBF Odbyt
IRFR5410TRPBF Dodavatel
IRFR5410TRPBF Distributor
IRFR5410TRPBF Datová tabulka
IRFR5410TRPBF Fotky
IRFR5410TRPBF Cena
IRFR5410TRPBF Nabídka
IRFR5410TRPBF Nejnižší cena
IRFR5410TRPBF Vyhledávání
IRFR5410TRPBF Nákup
IRFR5410TRPBF Chip