Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Číslo dílu
IRFR5410PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
66W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
205 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40934 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR5410PBF
IRFR5410PBF Elektronické komponenty
IRFR5410PBF Odbyt
IRFR5410PBF Dodavatel
IRFR5410PBF Distributor
IRFR5410PBF Datová tabulka
IRFR5410PBF Fotky
IRFR5410PBF Cena
IRFR5410PBF Nabídka
IRFR5410PBF Nejnižší cena
IRFR5410PBF Vyhledávání
IRFR5410PBF Nákup
IRFR5410PBF Chip