Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Číslo dílu
IRFR5305PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31514 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR5305PBF
IRFR5305PBF Elektronické komponenty
IRFR5305PBF Odbyt
IRFR5305PBF Dodavatel
IRFR5305PBF Distributor
IRFR5305PBF Datová tabulka
IRFR5305PBF Fotky
IRFR5305PBF Cena
IRFR5305PBF Nabídka
IRFR5305PBF Nejnižší cena
IRFR5305PBF Vyhledávání
IRFR5305PBF Nákup
IRFR5305PBF Chip