Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR4105Z
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Číslo dílu
IRFR4105Z
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5481 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR4105Z
IRFR4105Z Elektronické komponenty
IRFR4105Z Odbyt
IRFR4105Z Dodavatel
IRFR4105Z Distributor
IRFR4105Z Datová tabulka
IRFR4105Z Fotky
IRFR4105Z Cena
IRFR4105Z Nabídka
IRFR4105Z Nejnižší cena
IRFR4105Z Vyhledávání
IRFR4105Z Nákup
IRFR4105Z Chip