Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR4105PBF
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Číslo dílu
IRFR4105PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51042 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR4105PBF
IRFR4105PBF Elektronické komponenty
IRFR4105PBF Odbyt
IRFR4105PBF Dodavatel
IRFR4105PBF Distributor
IRFR4105PBF Datová tabulka
IRFR4105PBF Fotky
IRFR4105PBF Cena
IRFR4105PBF Nabídka
IRFR4105PBF Nejnižší cena
IRFR4105PBF Vyhledávání
IRFR4105PBF Nákup
IRFR4105PBF Chip