Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Číslo dílu
IRFR3910PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
115 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13355 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3910PBF
IRFR3910PBF Elektronické komponenty
IRFR3910PBF Odbyt
IRFR3910PBF Dodavatel
IRFR3910PBF Distributor
IRFR3910PBF Datová tabulka
IRFR3910PBF Fotky
IRFR3910PBF Cena
IRFR3910PBF Nabídka
IRFR3910PBF Nejnižší cena
IRFR3910PBF Vyhledávání
IRFR3910PBF Nákup
IRFR3910PBF Chip