Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3711TRLPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Číslo dílu
IRFR3711TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35467 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3711TRLPBF
IRFR3711TRLPBF Elektronické komponenty
IRFR3711TRLPBF Odbyt
IRFR3711TRLPBF Dodavatel
IRFR3711TRLPBF Distributor
IRFR3711TRLPBF Datová tabulka
IRFR3711TRLPBF Fotky
IRFR3711TRLPBF Cena
IRFR3711TRLPBF Nabídka
IRFR3711TRLPBF Nejnižší cena
IRFR3711TRLPBF Vyhledávání
IRFR3711TRLPBF Nákup
IRFR3711TRLPBF Chip