IRFR3710ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Číslo dílu
IRFR3710ZTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2930pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33846 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF Elektronické komponenty
IRFR3710ZTRPBF Odbyt
IRFR3710ZTRPBF Dodavatel
IRFR3710ZTRPBF Distributor
IRFR3710ZTRPBF Datová tabulka
IRFR3710ZTRPBF Fotky
IRFR3710ZTRPBF Cena
IRFR3710ZTRPBF Nabídka
IRFR3710ZTRPBF Nejnižší cena
IRFR3710ZTRPBF Vyhledávání
IRFR3710ZTRPBF Nákup
IRFR3710ZTRPBF Chip