Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3709Z
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Číslo dílu
IRFR3709Z
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2330pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11930 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3709Z
IRFR3709Z Elektronické komponenty
IRFR3709Z Odbyt
IRFR3709Z Dodavatel
IRFR3709Z Distributor
IRFR3709Z Datová tabulka
IRFR3709Z Fotky
IRFR3709Z Cena
IRFR3709Z Nabídka
IRFR3709Z Nejnižší cena
IRFR3709Z Vyhledávání
IRFR3709Z Nákup
IRFR3709Z Chip